[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611073837.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122965B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底包括隔离区和器件区，隔离区与器件区接触，器件区衬底上具有鳍部；在衬底上形成初始隔离结构；对隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀，使隔离区初始隔离结构表面低于所述器件区初始隔离结构表面，在隔离区初始隔离结构中形成隔离凹槽和位于隔离凹槽底部的隔离层；在隔离凹槽中形成保护层；形成保护层之后，对所述器件区初始隔离结构进行第二刻蚀，在第二刻蚀过程中，保护层的刻蚀速率小于所述初始隔离结构的刻蚀速率。对隔离区隔离结构进行刻蚀，能够降低隔离区初始隔离结构的高度，从而使所述第二刻蚀不容易暴露出所述隔离层侧壁，进而能够减少第二刻蚀对隔离区隔离层的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括隔离区和器件区，所述隔离区与器件区接触，所述器件区衬底上具有鳍部；在所述器件区和隔离区衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁；对所述隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀，使所述隔离区初始隔离结构表面低于所述器件区初始隔离结构表面，在所述隔离区初始隔离结构中形成隔离凹槽和位于所述隔离凹槽底部的隔离层；在所述隔离凹槽中形成保护层，所述保护层完全覆盖所述隔离凹槽底部；形成所述保护层之后，对所述器件区初始隔离结构进行第二刻蚀，减小所述器件区初始隔离结构厚度，在所述器件区形成隔离结构，在所述第二刻蚀过程中，所述保护层的刻蚀速率小于所述初始隔离结构的刻蚀速率。
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