[发明专利]鳍式场效晶体管在审
| 申请号： | 201611087885.9 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107134493A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;王廷君;林钰庭;何柏慷;萧柏铠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效晶体管，包括衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有多个半导体鳍片；多个隔离结构，位在所述衬底上，以隔离所述半导体鳍片，其中所述半导体鳍片突出于所述隔离结构；多个阻挡层，位在所述隔离结构与所述半导体鳍片之间，其中所述阻挡层的材料与所述隔离结构的材料不同；以及栅极叠层结构横跨过部分所述半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。
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