[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201611088993.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017202A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;B23K26/18;B23K26/364;B23K10/00;B28D1/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供晶片的加工方法，即使在采用了硬度较高的基板来作为层叠功能层的晶片的情况下，也能够使各个分离得到的器件较薄。一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上隔着缓冲层层叠有功能层并在正面上具有由分割预定线划分的多个器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序切断工序，沿着分割预定线至少将功能层切断；保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；缓冲层破坏工序，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于缓冲层而进行照射从而将缓冲层破坏；以及基板剥离工序，将该基板从功能层剥离而分离成每个器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上隔着缓冲层层叠有功能层并在正面上具有由分割预定线划分的多个器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：切断工序，沿着分割预定线至少将功能层切断；保护部件配设工序，在实施了该切断工序之后，在晶片的正面上配设保护部件；缓冲层破坏工序，在实施了该保护部件配设工序之后，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于缓冲层而进行照射从而将缓冲层破坏；以及基板剥离工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将该基板从该功能层剥离而分离成每个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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