[发明专利]晶圆级芯片级封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201611091100.5 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107026138A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 季彦良;熊明仁 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 白华胜,王蕊 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法，其中，所述晶圆级芯片级封装包括半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片级 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片级封装，其特征在于，包括：半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。
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