[发明专利]一种位线地址选择电路及非易失性存储器有效
| 申请号： | 201611092532.8 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108133729B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王韬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种位线地址选择电路及非易失性存储器，所述位线地址选择电路用于具有至少双存储体的非易失性存储器，包括比较放大器，还包括至少第一位线地址选择器和至少第二位线地址选择器，其中，所述第一位线地址选择器连接所述比较放大器的同相输入端和第一存储体，所述第二位线地址选择器连接所述比较放大器的反相输入端和第二存储体，所述第一位线地址选择器和所述比较放大器的同相输入端通过第一开关连接至参考电流，所述第二位线地址选择器和所述比较放大器的反相输入端通过第二开关连接至所述参考电流。本发明的位线地址选择电路利用非对称的Bank数据来抵消比较放大器的非对称，从而可取消传统YMUX中对Bank的选择级，只保留至少一个对位线的地址译码选择级，提高了位线预充电的速度，比较放大器输出的结果经过驱动放大后直接输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 地址 选择 电路 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种位线地址选择电路，用于具有至少双存储体的非易失性存储器，包括比较放大器，其特征在于，还包括至少第一位线地址选择器和至少第二位线地址选择器，其中，所述第一位线地址选择器连接所述比较放大器的同相输入端和所述非易失性存储器的第一存储体，所述第二位线地址选择器连接所述比较放大器的反相输入端和所述非易失性存储器的第二存储体，所述第一位线地址选择器和所述比较放大器的同相输入端通过第一开关连接至参考电流，所述第二位线地址选择器和所述比较放大器的反相输入端通过第二开关连接至所述参考电流。
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