[发明专利]一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201611094912.5 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106587940B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈淼琴;何金江;丁照崇;贺昕;熊晓东;万小勇;李勇军;雷继锋 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C04B35/626;C04B35/64;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料制造及应用技术领域，具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结，得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中，真空烧结温度为1400～1550℃，保温时间为2～10h，真空度为0.1～1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36％以上，杂质元素总含量为100ppm以下，平均晶粒尺寸为7μm以下，尺寸偏差为3.0μm以下，表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀，本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 氧化镁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯致密氧化镁靶材的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1)以氧化镁粉末为原料，对原料进行行星球磨，球磨转速为150～300r/min，球磨时间为8～32h，球料比为(1.5:1)～(3:1)，研磨后的粉末进行200目筛分；2)步骤1)中筛后粉末进行冷等静压成型，压力为150～350MPa，保压时间为5～20min，得到氧化镁压坯；3)步骤2)中氧化镁压坯进行真空烧结，烧结温度为1400～1550℃，保温时间为2～10h，真空度为0.1～1.0Pa，真空烧结结束后，根据所需靶材尺寸进行机械加工，得到高纯致密氧化镁靶材。
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