[发明专利]用于设计半导体器件的方法及系统有效
申请号: | 201611095252.2 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106816436B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 蔡念豫;徐金厂;李宪信;杨稳儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种设计半导体器件的方法包括:为多个单元中的每一单元的布局建立边界条件,其中每一单元具有多个特征,且边界条件是基于每一特征相对于对应单元的单元边界的邻近性而建立。所述方法包括基于用于制造所述半导体器件的层的掩模的数目、对所述多个特征的最小间距要求、以及所建立的边界条件来判断每一单元的布局是否是可着色的。所述方法包括通过使所述多个单元中的第一单元贴靠所述多个单元中的第二单元来形成所述半导体器件的所述层的布局。所述方法包括报告所述半导体器件的所述层的布局是可着色的,而不分析所述半导体器件的所述层的所述布局。 | ||
搜索关键词: | 用于 设计 半导体器件 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种用于设计半导体器件的系统,其特征在于,所述系统包括:非暂时性计算机可读媒体,用于存储指令;以及处理器,耦合至所述非暂时性计算机可读媒体,其中所述处理器用以执行所述指令以:为多个单元中的每一单元的布局建立边界条件,其中所述多个单元中的每一单元具有多个特征,且为所述多个单元中的每一单元的所述布局建立边界条件是基于所述多个特征中的每一特征相对于所述多个单元中的对应单元的单元边界的邻近性;基于用于制造所述半导体器件的层的掩模的数目、对所述多个特征的最小间距要求、以及所述所建立的边界条件来判断所述多个单元中的每一单元的所述布局是否是可着色的;通过使所述多个单元中的第一单元贴靠所述多个单元中的第二单元来形成所述半导体器件的所述层的布局;以及报告所述半导体器件的所述层的所述布局是可着色的,而不分析所述半导体器件的所述层的所述布局。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的