[发明专利]Ge场效应晶体管(FET)和制造方法有效
| 申请号： | 201611099479.4 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106847918B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 拓晃有村 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及Ge场效应晶体管(FET)和制造方法。揭示了场效应晶体管(FET)，其包括：包含锗(Ge)的有源区；以及有源区上的栅堆叠。栅堆叠包括：包含Si的钝化层；钝化层上的界面电介质层，其包含SiOx，其中x是大于0的整数；界面电介质层上的电介质包覆层，其包含形成界面偶极的材料；电介质包覆层上的高k电介质层；以及高k电介质层上的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | ge 场效应 晶体管 fet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管(FET)，其包括：‑包含锗(Ge)的有源区；以及‑所述有源区上的栅堆叠，其包括：·包含Si的钝化层；·所述钝化层上的界面电介质层，所述界面电介质层包含SiOx，其中，x是大于0的整数；·所述界面电介质层上的电介质包覆层，所述电介质包覆层包含形成界面偶极的材料；·所述电介质包覆层上的高k电介质层；·所述高k电介质层上的栅电极层。
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