[发明专利]反相器电路在审
| 申请号： | 201611107902.0 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107026641A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 清水尚司 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯日本合同会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 臧霁晨,郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及反相器电路。课题在于减少反相器电路的直通电流。反相器电路具备PMOS晶体管MP11、NMOS晶体管MN11、在被输入输入信号VIN2的输入端子11和PMOS晶体管MP11的栅极之间连接的延迟元件D1、在输入端子11和PMOS晶体管MP11的栅极之间与延迟元件D1并联连接的开关元件SW1、在输入端子11和NMOS晶体管MN11的栅极之间连接的延迟元件D2、以及在输入端子11和NMOS晶体管MN11的栅极之间与延迟元件D2并联连接的开关元件SW2。开关元件SW1、SW2响应于输出端子13的电位而工作。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器 电路 | ||
【主权项】：
一种反相器电路，其中，具备：第一P沟道MISFET，其源极连接于高电位侧端子，漏极连接于输出端子；第一N沟道MISFET，其源极连接于具有比所述高电位侧端子低的电位的低电位侧端子，漏极连接于所述输出端子；第一延迟元件，其连接在被输入输入信号的输入端子和所述第一P沟道MISFET的栅极之间；第一开关元件，其与所述第一延迟元件并联连接在所述输入端子和所述第一P沟道MISFET的栅极之间；第二延迟元件，其连接在所述输入端子和所述第一N沟道MISFET的栅极之间；以及第二开关元件，其与所述第二延迟元件并联连接在所述输入端子和所述第一N沟道MISFET的栅极之间，所述第一开关元件和所述第二开关元件响应于所述输出端子的电位而工作。
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