[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201611119419.4 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107527891B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 余振华;何明哲;郭宏瑞;吴逸文;李宗徽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/52;H01L23/528;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体器件及其制造方法，由此支撑结构用于为导电元件提供额外的支撑以消除或减少缺陷结构的形成，从而使得导电元件可形成为具有更薄的结构而不遭受不利结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一再分布层，位于衬底上方；保护层，位于所述第一再分布层上方，所述保护层包括第一材料；第一导电材料，延伸穿过所述保护层中的第一开口以制造与所述第一再分布层的电连接，所述第一导电材料在所述保护层上方具有小于3μm的第一厚度；以及支撑结构，位于所述第一导电材料和所述第一再分布层之间，其中，所述支撑结构包括所述第一材料并且在顶视图中位于所述第一导电材料的中心。
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