[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201611129796.6 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN107546229B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 李南宰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵爱玲;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置,其可包括第一单元结构、第二单元结构、焊盘结构、电路以及一个或多个开口。焊盘结构可设置在第一单元结构和第二单元结构之间,并可电联接到第一单元结构和第二单元结构。焊盘结构可具有多个阶梯结构。电路可设置在焊盘结构下方。一个或多个开口可穿过焊盘结构并可暴露电路。一个或多个开口可设置在多个阶梯结构之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:电路;焊盘结构,其设置在所述电路上方,所述焊盘结构包括包含彼此堆叠的第一焊盘的第一阶梯结构、包含彼此堆叠的第二焊盘的第二阶梯结构以及包含彼此堆叠的第三焊盘的第三阶梯结构;第一开口,其设置在所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构之间并且穿过所述焊盘结构并暴露所述电路;第二开口,其设置在所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构之间并且穿过所述焊盘结构并暴露所述电路;第一互连结构,其将所述第一焊盘和所述第三焊盘彼此电联接,并通过所述第一开口或所述第二开口将所述第一焊盘和所述第三焊盘联接到所述电路;以及第二互连结构,其将所述第二焊盘彼此电联接,并通过所述第一开口或所述第二开口将所述第二焊盘联接到所述电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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