[发明专利]可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 201611139451.9 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107039582B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑锡宇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件包括：第一电极层；可变电阻图案结构，位于第一电极层上并包括可变电阻层；覆盖层，形成在可变电阻图案结构的相反的侧壁上并包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，形成在覆盖层上。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：第一电极层；可变电阻图案结构，在所述第一电极层上，所述可变电阻图案结构包括可变电阻层；覆盖层，在所述可变电阻图案结构的相反的侧壁上，所述覆盖层包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，在所述覆盖层上。
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