[发明专利]一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储装置有效
| 申请号： | 201611143916.8 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106601303B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 黄志铭;庞荣 | 申请（专利权）人： | 建荣半导体（深圳）有限公司;建荣集成电路科技（珠海）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G06F11/07 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 彭海民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于数据存储领域，提供一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储系统，以提高整个NAND Flash的利用率。所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查待写块是否被标识了再生流程旗标；若待写块被标识了再生流程旗标，则判断被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本发明提供的技术方案一方面并不会影响闪存的读写效能；另一方面，可以避免NAND Flash等闪存的存储空间的浪费，从而提高整个NAND Flash的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 管理 方法 装置 存储 | ||
【主权项】：
1.一种闪存的坏块管理方法，其特征在于，所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；若所述待写块被标识了再生流程旗标，则将所述被标识了再生流程旗标的待写块执行块擦除操作；对所述执行了块擦除操作的待写块进行写预处理操作，以确定所述被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求；若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于建荣半导体（深圳）有限公司;建荣集成电路科技（珠海）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司，未经建荣半导体（深圳）有限公司;建荣集成电路科技（珠海）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611143916.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
