[发明专利]一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件在审
| 申请号： | 201611145965.5 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783554A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 余瑞麟;戴春雷;王亚珂 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/48;H01L23/48;C25D5/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 余敏 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件，制作方法包括以下步骤S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。本发明的制作方法可制得精细化的电极，且制得的电极的电导率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子元器件 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电子元器件电极的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
