[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层、P型接触层；P型接触层的生长过程分成(2*n+1)个阶段，n为正整数，阶段的序号为奇数时采用MO源全开的生长模式，阶段的序号为偶数时采用MO源全关的生长模式；MO源全开的生长模式为，开启Ga源、In源、Mg源，并通入NH₃、N₂和H₂，生长掺杂In和Mg的GaN层；MO源全关的生长模式为，关闭Ga源、In源、Mg源，并通入NH₃、N₂和H₂，中断生长掺杂In和Mg的GaN层。本发明大大降低了工作电压和提升了发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层、P型接触层；其特征在于，所述P型接触层的生长过程分成(2*n+1)个阶段，n为正整数，所述阶段的序号为奇数时采用MO源全开的生长模式，所述阶段的序号为偶数时采用MO源全关的生长模式；所述MO源全开的生长模式为，开启Ga源、In源、Mg源，并通入NH3、N2和H2，生长掺杂In和Mg的GaN层；所述MO源全关的生长模式为，关闭Ga源、In源、Mg源，并通入NH3、N2和H2，中断生长掺杂In和Mg的GaN层。