[发明专利]光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置

摘要

一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。

主权项

一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，其特征在于，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。