[发明专利]嵌入式HKMG非易失性存储器

摘要

本发明涉及一种包括高k金属栅极(HKMG)非易失性存储器(NVM)器件的集成电路(IC)并且提供了小尺寸和高性能的IC及其形成方法。在一些实施例中，集成电路包括具有在衬底上方横向隔开的选择晶体管和控制晶体管的存储区。选择栅电极和控制栅电极分别设置在高k栅极介电层和存储栅极氧化物上方。逻辑区与存储区相邻设置并且具有包括设置在高k栅极介电层和逻辑栅极氧化物上方的金属栅电极的逻辑器件。选择栅电极和控制栅电极可以是多晶硅电极。本发明实施例涉及嵌入式HKMG非易失性存储器。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：存储区，包括在衬底上方横向隔开的选择晶体管和控制晶体管，其中，所述选择晶体管和所述控制晶体管分别包括设置在高k栅极介电层和存储栅极氧化物上方的选择栅电极和控制栅电极；以及逻辑区，与所述存储区相邻设置并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括设置在所述高k栅极介电层和逻辑栅极氧化物上方的金属栅电极，其中，所述选择栅电极和所述控制栅电极包括多晶硅。