[发明专利]一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201611160118.6 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106784005A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法，本发明的改良的鳍式场效应晶体管包括基底；鳍部，所述鳍部第一源区和第一漏区以及沟道区；所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，本发明提高驱动电流，减小源/漏区的电阻，改善晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，其特征在于：所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。
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