[发明专利]双面OLED显示器件及其制作方法在审
申请号: | 201611163394.8 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106601773A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 徐超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双面OLED显示器件及其制作方法。本发明的双面OLED显示器件,通过设置透明阳极(21)和覆盖部分透明阳极(21)的反射阳极(22)、以及透明阴极(61)和覆盖部分透明阴极(61)的反射阴极(62),所述反射阳极(22)与反射阴极(62)共同将所述发光层(4)全部遮盖,且所述反射阳极(22)与反射阴极(62)在垂直于所述阵列基板(1)的垂直方向上至多有部分重叠,使得发光层(4)发出的光既能够从透明阳极(21)一侧射出,也能够从透明阴极(61)一侧射出,从而实现双面显示,能够解决现有的双面OLED显示器件结构比较厚重、工艺复杂、制作成本较高的问题。 | ||
搜索关键词: | 双面 oled 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种双面OLED显示器件,其特征在于,包括阵列基板(1)、覆盖所述阵列基板(1)的透明阳极(21)、覆盖部分所述透明阳极(21)的反射阳极(22)、覆盖所述反射阳极(22)与所述透明阳极(21)的空穴传输层(3)、覆盖所述空穴传输层(3)的发光层(4)、覆盖所述发光层(4)的电子传输层(5)、覆盖所述电子传输层(5)的透明阴极(61)、覆盖部分所述透明阴极(61)的反射阴极(62)、及覆盖所述透明阴极(61)与反射阴极(62)的封装层(7);所述反射阳极(22)与反射阴极(62)共同将所述发光层(4)全部遮盖,且所述反射阳极(22)与反射阴极(62)在垂直于所述阵列基板(1)的垂直方向上至多有部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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