[发明专利]一种像素bank结构及制作方法在审
申请号: | 201611170611.6 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106783918A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G03F7/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人: | 王永文,刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种像素bank结构及制作方法,像素bank结构包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区,所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。本发明在像素bank区上表面形成微纳结构,使其上表面凹凸不平,从而放大像素bank区上表面的亲疏液性,形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构,从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构,大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺,提高了制作效率,节约了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 bank 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种像素bank结构,其特征在于,包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区,所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的