[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效

专利信息
申请号: 201611179979.9 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106654045B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 彭斯敏;金江江 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 代理人: 林才桂;闻盼盼
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构,通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层,利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率,来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力,进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。
搜索关键词: oled 封装 方法 结构
【主权项】:
1.一种OLED封装方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤1、提供OLED器件(101),在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201),所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101);/n步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301),所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201);/n步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401),所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301);/n步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202),所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401);/n所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石,其中,钛元素的含量为1wt%~10wt%;/n所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm;所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm;所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm;所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同;/n所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611179979.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top