[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效
申请号: | 201611179979.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106654045B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 彭斯敏;金江江 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构,通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层,利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率,来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力,进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。 | ||
搜索关键词: | oled 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种OLED封装方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤1、提供OLED器件(101),在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201),所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101);/n步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301),所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201);/n步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401),所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301);/n步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202),所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401);/n所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石,其中,钛元素的含量为1wt%~10wt%;/n所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm;所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm;所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm;所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同;/n所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611179979.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:头戴增强现实显示装置
- 下一篇:OLED显示面板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择