[发明专利]空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置在审

专利信息
申请号: 201611183133.2 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106784400A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 梁柱荣;曹蔚然 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置,方法包括步骤首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS2纳米颗粒溶液;然后将所制得的FeS2纳米颗粒溶液沉积在PEDOTPSS空穴注入层上,得到空穴传输层。本发明采用表面包覆有亲油性有机配体的FeS2作为空穴传输层,沉积在PEDOTPSS空穴注入层上。一方面防止PEDOTPSS空穴注入层吸潮对各功能层造成破坏,提高QLED器件稳定性和使用寿命;另一方面,使空穴传输层与空穴注入层及量子点之间的能带更加匹配,降低空穴注入和传输势垒,提高QLED器件的发光效率。
搜索关键词: 空穴 传输 qled 制备 方法 发光 模组 显示装置
【主权项】:
一种空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括步骤:首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS2纳米颗粒溶液;然后将所制得的FeS2纳米颗粒溶液沉积在PEDOT:PSS空穴注入层上,得到空穴传输层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611183133.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top