[发明专利]存储电路及其写入方法有效
| 申请号： | 201611187332.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039068B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈炎辉;廖宏仁;林志宇;张琮永;吴威震 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源，通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电路 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置，所述第一存储单元列的每一个存储单元均包括电源电压线段；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸，所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接；以及电压源，通过一条或多条导电路径与所述第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。
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