[发明专利]半导体器件和封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611187512.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107043085B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱家骅;彭荣辉;吴宜谦;洪丽闵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件、封装件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、互连层、脱气层以及图案化的脱气阻挡层。互连层位于衬底上方。脱气层位于互连层上方。图案化的脱气阻挡层位于脱气层上方。该图案化的脱气阻挡层包括多个阻挡结构和多个开口。该多个开口暴露脱气层的最顶表面的部分，并且图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与脱气层的最顶表面共面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；互连层，位于所述衬底上方；脱气层，位于所述互连层上方；以及图案化的脱气阻挡层，位于所述脱气层上方，其中，所述图案化的脱气阻挡层包括多个阻挡结构和多个开口，所述多个开口暴露所述脱气层的最顶表面的部分，并且所述图案化的脱气阻挡层的最底表面基本上与所述脱气层的所述最顶表面共面。
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