[发明专利]高纯度二氧化硅的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611188310.6 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN108203096A 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 青岛祥智电子技术有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266100 山东省青岛*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种高纯度二氧化硅的方法,其以硅藻土为原料,与氟化铵水溶液在一定温度下反应,经过沉淀、过滤、离心得到氟硅酸铵溶液;通过蒸发结晶得到高纯度氟硅酸铵固体;高纯度氟硅酸铵固体通过热分解得到高纯四氟化硅;四氟化硅气体与高纯度氨水反应,生成二氧化硅沉淀,通过固液分离、洗涤、真空干燥,制备出高纯度二氧化硅粉体。该方法原料成本较低、操作工艺简单、生产过程中无污染物产生且制备的二氧化硅粉体纯度大于6N。
搜索关键词: 高纯度二氧化硅 氟硅酸铵 高纯度 制备 氨水 二氧化硅沉淀 二氧化硅粉体 四氟化硅气体 操作工艺 固液分离 生产过程 四氟化硅 无污染物 原料成本 蒸发结晶 氟化铵 硅藻土 热分解 粉体 高纯 洗涤 沉淀 过滤
【主权项】:
1.一种高纯度二氧化硅的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)硅藻土和氟化铵水溶液在80~90℃下反应生成氟硅酸铵溶液和氨气,所述氟硅酸铵溶液经过滤和高速离心后除去杂质,实现初步提纯;所述氨气经纯水吸收,制成高纯氨水;2)将初步提纯后的氟硅酸铵溶液经过多次蒸发结晶,通过固液分离进行二次提纯,然后通过洗涤得到高纯度氟硅酸铵固体;3)将所述高纯度氟硅酸铵固体加热到100~150℃,使其分解生成四氟化硅气体和氟化铵气体;4)将所述四氟化硅和氟化铵气体导入到反应设备中,使其与高纯氨水进行氨解反应,生成二氧化硅沉淀;5)将所述二氧化硅沉淀通过高速离心脱水、洗涤和真空干燥,得到纯度大于6N的高纯度二氧化硅粉体。
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