[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611189728.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107204323B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 徐英杰;黄士芬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其包括半导电衬底和半导电衬底中的掺杂区。掺杂区具有与半导电衬底相反的导电类型。半导体结构还包含掺杂区中的电容器，其中电容器包括多个电极并且多个电极彼此绝缘。半导体结构进一步包含电容器中的并且被多个电极包围的插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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