[发明专利]具有双沟道的半导体器件、互补半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供了具有双沟道的半导体器件，该半导体器件包括共享掩埋栅极柱的第一部分和第二部分。该掩埋栅极柱从衬底的第一表面朝向与第一表面相对的第二表面延伸。第一部分包括掩埋栅极柱、位于掩埋栅极柱的第一侧壁处的第一栅极介电层和位于第一栅极介电层旁边的第一掺杂区域集。在第一栅极介电层和第一掺杂区域集之间的衬底中提供第一沟道。第二部分包括掩埋栅极柱、位于掩埋栅极柱的第二侧壁处的第二栅极介电层和位于第二栅极介电层旁边的第二掺杂区域集。在第二栅极介电层和第二掺杂区域集之间的衬底中提供第二沟道。本发明实施例涉及具有双沟道的半导体器件、互补半导体器件及其制造方法。

主权项

一种具有双沟道的半导体器件，包括：第一部分和第二部分，共享从衬底的第一表面朝向与所述第一表面相对的第二表面延伸的掩埋栅极柱，其中：所述第一部分嵌入在所述衬底内并且还包括：第一栅极介电层，位于所述掩埋栅极柱的第一侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；和第一掺杂区域集，位于所述第一栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第一栅极介电层和所述第一掺杂区域集之间的所述衬底中提供第一沟道；以及所述第二部分嵌入在所述衬底内并且还包括：第二栅极介电层，位于所述掩埋栅极柱的第二侧壁和所述衬底之间并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸；以及第二掺杂区域集，位于所述第二栅极介电层旁边并且从所述衬底的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中，在所述第二栅极介电层和所述第二掺杂区域集之间的所述衬底中提供第二沟道。