[发明专利]改善晶片表面平坦均匀性的方法有效
| 申请号： | 201611197856.8 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231599B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林仁杰;林文钦;李昱廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善晶片表面平坦均匀性的方法。首先提供一晶片，其上具有一第一区域及一第二区域。第一区域与第二区域具有不同的图案密度。再于晶片上形成一导电层，然后于导电层上形成一缓冲层。接着，对缓冲层进行一研磨制作工艺，直到显露出导电层。再进行一蚀刻制作工艺，蚀刻掉部分的导电层与剩余的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶片 表面 平坦 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶片表面平坦均匀性的方法，包含有：提供一晶片，其上具有第一区域及第二区域，其中该第一区域与该第二区域具有不同的图案密度；在该晶片上形成一导电层；在该导电层上形成一缓冲层；对该缓冲层进行一研磨制作工艺，直到显露出该导电层；以及进行一蚀刻制作工艺，蚀刻掉部分的该导电层与剩余的该缓冲层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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