[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201611199562.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107871683B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 中山雅则;寺崎正 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，其技术课题为提高每个衬底的处理均匀性。半导体器件的制造方法具有：基于第一处理设定使处理装置动作来处理衬底的步骤；在进行处理时获取处理装置的装置数据的步骤；基于与第一处理设定对应的评估系数和装置数据来生成处理装置的第一评估数据的步骤；基于第一评估数据来判定在处理装置中可执行的配方项目的步骤；以及报告配方项目的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：基于第一处理设定使衬底处理装置内的处理装置动作来处理衬底的工序；在进行所述处理时获取所述处理装置的装置数据的工序；基于与所述第一处理设定对应的评估系数和所述装置数据来生成所述处理装置的第一评估数据的工序；基于所述第一评估数据来判定在所述处理装置中可执行的一个以上的配方项目的工序；以及报告所述一个以上的配方项目的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
