[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201611201951.0 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106601289B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。提供了例如用于在写操作中控制与要写的SRAM存储单元耦接的存储单元电源线的电压电平的写辅助电路。写辅助电路响应于在写操作中使能的写辅助使能信号将存储单元电源线的电压电平降低到预定的电压电平。同时，写辅助电路根据写辅助脉冲信号的脉冲宽度来控制存储单元电源线的电压电平的降低速度。写辅助脉冲信号的脉冲宽度被定义为使得行的数量越大(或存储单元电源线的长度越长)，则脉冲宽度越大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括第一存储器模块和第二存储器模块，所述第一存储器模块和第二存储器模块中的每一个被提供有电源电压和接地电压，其中第一存储器模块包括：在第一方向上平行地延伸的多个第一字线；在与第一方向交叉的第二方向上平行地延伸的多个第一位线；以及耦接到第一字线和第一位线的多个第一SRAM存储单元，其中第二存储器模块包括：在第三方向上平行地延伸的多个第二字线；在与第三方向交叉的第四方向上平行地延伸的多个第二位线；以及耦接到第二字线和第二位线的多个第二SRAM存储单元，其中第一存储器模块还包括：在第二方向上平行地延伸以便将电力供应给第一SRAM存储单元的多个第一存储单元电源线；以及第一写辅助电路，用于在写操作中将与要写的第一SRAM存储单元对应的第一存储单元电源线的电压电平收敛到在电源电压和接地电压之间的第一电平，其中第二存储器模块还包括：在第四方向上平行地延伸以便将电力供应给第二SRAM存储单元的多个第二存储单元电源线；以及第二写辅助电路，用于在写操作中将与要写的第二SRAM存储单元对应的第二存储单元电源线的电压电平收敛到在电源电压和接地电压之间的第二电平，以及其中第一字线的数量大于第二字线的数量。
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