[发明专利]静态随机存取存储器及其制造方法

摘要

在制造SRAM的方法中，第一伪图案形成在衬底上方，第一至第三掩模层形成在衬底上。中间伪图案形成在第一伪图案的侧壁上。去除第一伪图案，从而留下中间伪图案。通过使用中间伪图案来图案化第三掩模层，由此图案化第二掩模层，从而形成第二伪图案。侧壁间隔件层形成在第二伪图案的侧壁上。去除第二伪图案，从而留下侧壁间隔件层以作为衬底上方的硬掩模图案，由此图案化第一掩模层。通过使用图案化的第一掩模层来图案化衬底。多个SRAM单元的每一个都被单元边界限定，在该单元边界内，仅包括两个第一伪图案。本发明的实施例还提供了一种静态随机存取存储器及其制造方法。

主权项

1.一种制造包括多个静态随机存取存储器(SRAM)单元的静态随机存取存储器的方法，所述方法包括：/n在衬底上方形成第一伪图案，第一掩模层、第二掩模层和第三掩模层顺序形成在所述衬底上；/n在所述第一伪图案的侧壁上形成中间伪图案，以填充所述第一伪图案之间的间隔；/n去除所述第一伪图案，从而留下位于所述衬底的第三掩模层上方的中间伪图案；/n通过使用所述中间伪图案来图案化所述第三掩模层；/n通过使用图案化的第三掩模层来图案化所述第二掩模层，从而形成第二伪图案；/n在所述第二伪图案的侧壁上形成侧壁间隔件层；/n去除所述第二伪图案，从而留下所述侧壁间隔件层以作为所述衬底上方的硬掩模图案；/n通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述第一掩模层；以及/n通过使用图案化的第一掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，其中：/n在平面图中，所述多个静态随机存取存储器单元的每一个都被单元边界限定，并且/n在平面图中，在所述多个静态随机存取存储器单元的每一个的所述单元边界内，仅包括两个第一伪图案。/n