[发明专利]一种像素结构及液晶显示装置有效
申请号: | 201611206294.9 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106647075B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 赵阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种像素结构及液晶显示装置。本发明的像素结构及液晶显示装置将位于主区的第一存储电容与第一液晶电容的比值以及位于子区的第二存储电容与第二液晶电容的比值设定在1.0‑1.5之间,从而减小液晶显示装置的响应时间,进而提高液晶显示装置的显示质量。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示装置 像素结构 存储电容 液晶电容 比值设定 减小 主区 子区 响应 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:多条扫描线、多条数据线以及所述扫描线与数据线限定的多个像素单元,每个所述像素单元包括主区以及子区;所述主区包括第一薄膜晶体管、第一存储电容以及第一液晶电容,所述第一薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容以及所述第一液晶电容连接;所述子区包括第二薄膜晶体管、第二存储电容以及第二液晶电容,所述第二薄膜晶体管的栅极与相应的所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与相应的所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及所述第二液晶电容连接;其中,所述第一存储电容与所述第一液晶电容的比值以及所述第二存储电容与所述第二液晶电容的比值均介于1.0‑1.5之间。
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