[发明专利]一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法在审
申请号: | 201611215405.2 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106784006A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李风浪 | 申请(专利权)人: | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及功率半导体器件,特别涉及一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法,本发明制造的沟槽式超势垒整流器件包括第一导电类型衬底,第一导电类型外延层,第一沟槽,导电多晶硅,栅绝缘层,第二导电类型注入区以及第一导电类型注入区,金属电极,所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区,所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离,且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。本发明有效改善沟槽式超势垒整流器件的方向电压抗击能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 式超势垒 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种沟槽式超势垒整流器件,包括:第一导电类型衬底,所述第一导电类型衬底上表面的第一导电类型外延层,所述第一导电类型外延层上表层中的第一沟槽,填充所述第一沟槽的导电多晶硅,形成于所述第一沟槽与导电多晶硅之间的栅绝缘层,相邻第一沟槽之间的第二导电类型注入区以及第二导电类型注入区上的第一导电类型注入区,位于所述第一导电类型外延层上部且与第一导电类型注入区、第二导电类型注入区以及导电多晶硅接触的金属电极,其特征在于:所述第二导电类型注入区下方形成第二导电类型增强区,所述第二导电类型增强区与第一沟槽之间有第一导电类型外延层相隔离,且所述第二导电类型增强区深度不低于所述第一沟槽深度。
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