[发明专利]采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法

摘要

本发明提供了一种采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法，包括：衬底，在衬底表面设置有底部隔离层；位于底部隔离层上的N层隔离层；每层隔离层中设置有相应层的金属通孔，相邻的上层金属通孔和下层金属通孔一一对应且相连接；其中，N为整数且N≥2；金属电极，位于最顶层金属通孔顶部；量子点薄膜，位于金属电极和暴露的最顶层隔离层表面。本发明的图像传感器具有有更强的光线敏感度，更大的动态范围和更优化的成像稳定性，还能够确保在小尺寸的像素的设计中，也可以获得高质量的输出图像。

主权项

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤01：提供一衬底；并且，在衬底表面形成底部隔离层；/n步骤02：在底部隔离层表面形成一层隔离层；/n步骤03：在该层隔离层中刻蚀出一层通孔，并且在该层通孔中填充金属，从而得到该层的金属通孔；/n步骤04：在完成步骤03的衬底上再形成一层隔离层；/n步骤05，重复步骤03～04，直至形成N层隔离层，且在每层隔离层中形成有相应层的金属通孔，相邻的上层金属通孔和下层金属通孔一一对应且相连接；其中，N为整数且N≥2；/n步骤06：在第N层隔离层表面和第N层金属通孔上形成顶部隔离层；/n步骤07：刻蚀顶部隔离层，以暴露出位于第N隔离层表面和第N层金属通孔顶部，并且保留位于第N层隔离层上的相邻像素的交界处的顶部隔离层，从而形成顶部隔离结构；/n步骤08：在暴露出的第N层金属通孔顶部形成金属电极(14)，从而形成仅位于第N层金属通孔顶部的金属电极(14)；/n步骤09：在金属电极(14)和暴露的第N层隔离层表面形成量子点薄膜。/n