[发明专利]一种功率器件栅极侧墙制备方法在审
| 申请号： | 201611226698.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783568A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 姚尧;杨鑫著;文高;蒋明明;谭真华;刘武平;李超伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件栅极侧墙制备方法，包括步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。通过在功率器件主体的栅极绝缘侧墙外侧沉积一层绝缘保护层，在干法刻蚀过程中，保护功率器件主体的多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失，使其保留较厚的厚度，从而改善器件的漏电特性，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件栅极侧墙制备方法，其特征在于，包括：步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司，未经株洲中车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611226698.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅栅极的生长方法
- 下一篇：一种改善欧姆接触电阻的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
