[发明专利]N型超晶格接触层的生长方法在审
| 申请号： | 201611229758.8 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106856217A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘丹,黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种N型超晶格接触层的生长方法，包括在衬底的上表面生长氮化镓GaN缓冲层；在所述氮化镓GAN缓冲层上生长非掺杂氮化镓U‑GaN层；在所述非掺杂氮化镓U‑GaN层上生长N型氮化镓N‑GaN层；在所述N型氮化镓N‑GaN层上生长量子阱发光层MQW；在所述量子阱发光层MQW上生长P型氮化镓P‑GaN层；在所述P型氮化镓P‑GaN层上生长N型INxGA1‑xN/GaN超晶格接触层，其中x大于等于0且小于1。利用其独特的电特性能降低金属电极与外延片之间的肖特基势垒。提升了电流注入的均匀性、提升了亮度、降低了电极线与金属电极表面之间的结温，并且降低了大电流击穿芯粒的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 接触 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种N型超晶格接触层的生长方法，其特征在于，包括：在衬底的上表面生长氮化镓GaN缓冲层；在所述氮化镓GAN缓冲层上生长非掺杂氮化镓U‑GaN层；在所述非掺杂氮化镓U‑GaN层上生长N型氮化镓N‑GaN层；在所述N型氮化镓N‑GaN层上生长量子阱发光层MQW；在所述量子阱发光层MQW上生长P型氮化镓P‑GaN层；在所述P型氮化镓P‑GaN层上生长N型INxGA1‑xN/GaN超晶格接触层，其中x大于等于0且小于1。
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