[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611230186.5 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170825B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。根据一些实施例，半导体器件包括衬底、第一栅堆叠、第一介电层、遮蔽层及连接件。所述第一栅堆叠位于衬底之上。所述第一介电层位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷。所述遮蔽层位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上。所述连接件穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 鳍式场效 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：第一栅堆叠，位于衬底之上；第一介电层，位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷；遮蔽层，位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上；以及连接件，穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。
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