[发明专利]一种柔性全无机QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611235119.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106711309B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李乐;向超宇;张滔;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。本发明通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高QLED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴传输层 沉积 制备 电子传输层 底电极 发光层 量子点 云母片 衬底 脉冲激光沉积法 载流子传输效率 激光脉冲沉积 界面粗糙度 发光效率 晶体缺陷 顶电极 结晶性 耐高温 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。
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