[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201611237030.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107871652B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 岛本聪;吉野晃生;寺崎正;中山雅则 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题为提高形成于衬底上的氧化膜的膜质。本发明的方法具有：将形成有多个凸状含碳膜的衬底收容在处理室内的工序，向衬底供给含硅气体而在凸状含碳膜的表面和衬底的表面形成含硅膜的工序，向衬底供给进行了第一等离子体化的含氧气体从而形成含硅氧膜的工序，和在形成含硅氧膜后、供给进行了第二等离子体化的含氧气体从而形成氧化硅膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，具有：将形成有多个凸状含碳膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含硅气体，在所述凸状含碳膜的表面和所述衬底的表面形成含硅膜的工序，向所述衬底供给进行了第一等离子体化的含氧气体从而形成含硅氧膜的工序，和在形成所述含硅氧膜后，供给进行了第二等离子体化的所述含氧气体从而形成氧化硅膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
