[发明专利]一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构

摘要

本发明公开了一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，包括：选择NMOS晶体管，第一存储NMOS晶体管、第二存储NMOS晶体管，衬底接触区域；选择NMOS晶体管包括：第一N注入源区、第一栅、第一N注入漏区、第一接触孔和第二接触孔；第一存储NMOS晶体管包括：第二N注入源区、第二栅、第二N注入漏区和第三接触孔；第二存储NMOS晶体管包括：第三N注入源区、第三栅、第三N注入漏区、第四接触孔；衬底接触区域包括：P注入有源区、第五接触孔和第六接触孔。本发明通过增加并联的存储晶体管，提高了存储单元的编程后等效电阻的一致性，保证了存储单元的可靠性，并通过P型衬底接触，增强了存储单元的抗单粒子闩锁能力。

主权项

1.一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，其特征在于，包括：选择NMOS晶体管(101)、第一存储NMOS晶体管(102)、第二存储NMOS晶体管(103)、衬底接触区域(104)、第一金属层(161)、第二金属层(162)和第三金属层(163)；/n选择NMOS晶体管(101)包括：第一N注入源区(01)、第一栅(02)、第一N注入漏区、第一接触孔(09)和第二接触孔；第一存储NMOS晶体管(102)包括：第二N注入源区、第二栅(051)、第二N注入漏区(06)和第三接触孔；第二存储NMOS晶体管(103)包括：第三N注入源区(04)、第三栅(052)、第三N注入漏区(07)、第四接触孔(11)；衬底接触区域(104)为P型衬底接触，包括：P注入有源区(08)、第五接触孔(121)和第六接触孔(122)；其中，所述第一N注入漏区与所述第二N注入源区共用公共区域(03)；所述第二接触孔与第三接触孔共用公共接触孔(10)；第二N注入源区和第三N注入源区(04)通过接触孔公共接触孔(10)和第四接触孔(11)与第一金属层(161)连接；第一栅(051)和第二栅(052)为连接在一起的整体；第一N注入源区(01)通过第一接触孔(09)连接至位线的第二金属层(162)；P型衬底接触通过第三金属层(163)连至地线；/n其中，第一存储NMOS晶体管(102)和第二存储NMOS晶体管(103)并联，用于提高栅氧化层反熔丝PROM存储单元的编程后等效电阻的一致性，保证栅氧化层反熔丝PROM存储单元的可靠性；引入P型衬底接触，用于增强栅氧化层反熔丝PROM存储单元的抗单粒子闩锁能力；具体的：/n栅氧化层反熔丝PROM存储单元在编程前，选择NMOS晶体管的栅极施加开启电压时，在第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管栅极施加读取电压，由于第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管的栅极和源极呈电容特性，在位线检测不到电流；栅氧化层反熔丝PROM存储单元在编程后，选择NMOS晶体管的栅极施加开启电压时，在第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管栅极施加读取电压，由于单元编程后第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管的栅氧被击穿，栅极和源极呈电阻特性，在位线可以检测出读取电流；其中，栅氧化层反熔丝PROM存储单元基于所述栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构加工得到。/n