[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法。该晶片的加工方法具有如下的步骤保护带粘贴步骤(S11)，在晶片(W)的正面(WS)侧粘贴保护带(T)；环状加强部形成步骤(S12)，在保护带粘贴步骤之后，将与器件区域(WA)对应的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在与外周剩余区域(WB)对应的背面形成环状的加强部(WC)；改质层形成步骤(S13)，在环状加强部形成步骤之后，将激光束(L)定位在晶片的器件区域的内部而从晶片的背面沿着分割预定线在晶片的器件区域的内部形成改质层(K)；以及磨削步骤(S14)，在改质层形成步骤之后，从晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度(t2)，通过磨削动作以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割。

主权项

一种晶片的加工方法，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行加工，该器件区域形成有多个器件和多条分割预定线，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护带；环状加强部形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，通过磨削单元将与该器件区域对应的背面磨削至第1厚度，在与该外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部；改质层形成步骤，在实施了该环状加强部形成步骤之后，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束定位在该晶片的该器件区域的内部而从该晶片的背面沿着该分割预定线在该晶片的该器件区域的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该晶片的背面通过磨削单元进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着所述分割预定线对该晶片进行分割。