[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区、以及位于基底上且覆盖栅极结构顶部的层间介质层；在栅极结构两侧层间介质层内形成露出源漏掺杂区的第一接触开口；对第一接触开口露出的源漏掺杂区进行预非晶化处理形成非晶层；对靠近源漏掺杂区的部分非晶层进行再结晶处理；在第一接触开口底部形成金属硅化物层；在第一接触开口内形成第一接触孔插塞。本发明通过再结晶处理，修复预非晶化处理的射程末端的缺陷，从而提高金属硅化物层的质量以及质量均一性，且可避免源漏掺杂区与体区发生导通的问题，减小体区漏电流。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区、以及位于所述基底上且覆盖所述栅极结构顶部的层间介质层；在所述栅极结构两侧的层间介质层内形成露出所述源漏掺杂区的第一接触开口；对所述第一接触开口露出的所述源漏掺杂区进行预非晶化处理，在所述第一接触开口底部形成非晶层；对靠近所述源漏掺杂区的部分所述非晶层进行再结晶处理；再结晶处理后，在所述第一接触开口的底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层后，向所述第一接触开口内填充导电材料，在所述第一接触开口内形成第一接触孔插塞。