[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，通过对形成有金属诱导层的衬底基板进行退火处理，可以实现金属诱导晶化制备底栅型低温多晶硅薄膜晶体管，省去了制作顶栅型薄膜晶体管中的遮光层，从而节省了制作成本，简化了工艺，并且通过金属诱导晶化可以省去对多晶硅掺杂的步骤。此外，通过金属诱导晶化使得非晶硅转变为多晶硅，进而对多晶硅进行构图工艺，形成对应有源层和源漏极区域的第一掺杂区和第二掺杂区，可以实现沟道区与源漏区分区，保证薄膜晶体管的电性能；进而通过对第一掺杂区刻蚀可以去除沟道区因金属诱导晶化残留的金属粒子，降低器件的关态电流，解决了金属粒子残留的问题，保证了器件良好的电性能。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成缓冲层、栅极和栅绝缘层的图形；其特征在于，还包括：在形成有所述栅绝缘层的图形的衬底基板上形成非晶硅层；在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层；对形成有所述金属诱导层的衬底基板进行退火处理；对退火处理后的所述衬底基板进行构图工艺，形成对应有源层的第一掺杂区和对应源漏极的第二掺杂区；对形成的所述第一掺杂区进行刻蚀处理，形成有源层的图形；在形成的所述第二掺杂区上形成对应的源极和漏极的图形。