[发明专利]一种晶圆传片结构在审
| 申请号： | 201611247974.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108257901A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵旭良 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆传片结构，包括：基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。本发明的晶圆传片结构将传统设置于晶圆下方的升降针设置到晶圆的边缘，并改良升降针的顶部结构，减少晶圆与升降针的接触面积，不会在晶圆背面留下任何痕迹，不会破坏硅片的背面形貌，由于基座上的开孔位置移到了晶圆的边缘，即使在热传导的性能上不能很均匀，但是只会影响最边缘的部分，能够让晶圆的使用率更高，从而可提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 升降针 片结构 通孔 上下活动 承载面 种晶 形貌 底部连接 顶部结构 基座表面 晶圆背面 开孔位置 热传导 升降轴 硅片 使用率 良率 背面 承载 穿过 改良 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆传片结构，其特征在于，包括：基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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