[发明专利]栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路有效
| 申请号： | 201611253204.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653687B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G09G3/36 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制作栅极驱动单元的方法、栅极驱动单元和栅极驱动电路。其中，栅极驱动单元的制作方法包括：在第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 驱动 单元 及其 制作方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作栅极驱动单元的方法，其特征在于，包括图案化第二金属层，具体包括：在所述第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
