[发明专利]一种高纯氮化铈粉体及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种高纯氮化铈粉体，该粉体CeN含量≥93.7wt%，N含量≥8.51wt%。所述高纯氮化铈粉体的制备方法为，将纯度为99wt%的Ce粉预处理后和助剂混合均匀，在特定反应气氛中进行烧结，并将烧结后的产物充分研磨后再混以助剂和添加剂进行第二次烧结，最后对所得到的氮化铈粉体进行表面处理。本发明所提供的高纯氮化铈粉体能够应用于高性能陶瓷，半导体材料和发光材料的制备，本发明提供的方法工艺简单，成本较低，适宜大规模化工业生产。

主权项

1.一种高纯氮化铈粉体的制备方法，其特征是，包含如下步骤：a、将Ce粉进行液相球磨处理，所用液体介质为去离子水、有机溶剂、稀碱性溶液中的一种，液相球磨后Ce粉的粒度为1.5µm ~2.5µm；b、按照比例称取Ce粉和助剂A、C、添加剂B为原料，其中A为NH4Cl和NH4F中的至少一种，B为CeN，C为无水CeCl3，且各原料质量比为Ce粉∶A=80∶20~95∶5，Ce粉∶（B+C）=80∶20~95∶5，B∶C=50∶50~20∶80；c、将步骤b中所称取的Ce粉和助剂A混合均匀，并置于坩埚中；d、在H2反应气氛下以5~10℃/min的速率升温至300~500℃，保温2~5h，然后以5~10℃/min的速率降温至200℃，再自然降至室温，得到一次烧结产物；e、将一次烧结产物充分研磨，并与步骤b中称取的添加剂B和助剂C混合均匀，置于坩埚中；f、在N2 或NH3或N2和NH3的混合气氛下以5~10℃/min的速率升温至800~1200℃，并保温4~10h，然后以5~10℃/min的速率降温至200℃，再自然降至室温，得到二次烧结产物；g、将二次烧结产物研磨、过筛后得到高纯CeN粉体。