[发明专利]一种新型WLP封装结构及其制作方法在审

申请号：	201611260092.2	申请日：	2016-12-30
公开（公告）号：	CN108269744A	公开（公告）日：	2018-07-10
发明（设计）人：	尉纪宏;李国帅;江京	申请（专利权）人：	无锡天芯互联科技有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48
代理公司：	常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231	代理人：	黄杭飞
地址：	214135 江苏省无锡市无锡新区菱***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明属于WLP封装结构的技术领域，具体涉及一种新型WLP封装结构及其制作方法；解决的技术问题为：提供一种产品结构和制作工艺更简单、产品尺寸更小、成本更低的新型WLP封装结构及其制作方法；采用的技术方案为：一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘，所述无线路层的底部设有保护层，所述硅衬底的外表面设有绝缘层，所述绝缘层上设有凹槽，所述焊盘分别位于所述凹槽内，所述焊盘均与所述硅衬底的表面相接触；本发明适用于WLP封装领域。
搜索关键词：	封装结构硅衬底线路层焊盘绝缘层蚀刻电路层制作制作工艺保护层封装产品结构
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【主权项】：

1.一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底(10)，所述硅衬底包括位于底部的无线路层(101)和位于无线路层(101)上的蚀刻电路层(102)，所述蚀刻电路层(102)上设有焊盘(20)，其特征在于：所述无线路层(101)的底部设有保护层(30)，所述硅衬底(10)的外表面设有绝缘层(40)，所述绝缘层(40)上设有凹槽，所述焊盘(20)分别位于所述凹槽内，所述焊盘(20)均与所述硅衬底(10)的表面相接触。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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