[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201611264115.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269788B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;秦仁刚 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多晶硅层、第一金属层以及第二金属层，设于所述第二金属层和多晶硅层之间的金属屏蔽层，所述第一金属层通过第一接触孔内的金属塞连接下方的所述多晶硅层，所述第二金属层在所述半导体器件中的高度大于所述金属屏蔽层在所述半导体器件中的高度，所述金属屏蔽层通过第二接触孔内的金属塞连接下方的所述衬底，所述金属屏蔽层用于对所述第二金属层产生的电场进行屏蔽以减少所述电场对所述多晶硅层的影响。本发明设置金属屏蔽层以屏蔽第二金属层产生的电场，能够提高多晶硅层的电阻值的稳定性。且由于屏蔽了电场，在版图的布线时就不再需要将第二金属层的走线避开多晶硅层，因此可以提高布线的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多晶硅层、第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层通过第一接触孔内的金属塞连接下方的所述多晶硅层，其特征在于，还包括设于所述第二金属层和多晶硅层之间的金属屏蔽层，所述第二金属层在所述半导体器件中的高度大于所述金属屏蔽层在所述半导体器件中的高度，所述金属屏蔽层通过第二接触孔内的金属塞连接下方的所述衬底，所述金属屏蔽层用于对所述第二金属层产生的电场进行屏蔽以减少所述电场对所述多晶硅层的影响。
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