[实用新型]含粒子的双面ITO导电膜有效

专利信息
申请号: 201620047214.9 申请日: 2016-01-16
公开(公告)号: CN205384883U 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 胡文玮 申请(专利权)人: 汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G06F3/041
代理公司: 广州市深研专利事务所 44229 代理人: 张喜安
地址: 515078 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种含粒子的双面ITO导电膜,包括基材层,基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间,光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间,ITO导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。本实用新型所述的双面ITO导电膜其光学调整层薄,透光性好,不影响粒子凸起程度。
搜索关键词: 粒子 双面 ito 导电
【主权项】:
一种含粒子的双面ITO导电膜,包括基材层,其特征在于:基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间,光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间,ITO导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。
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