[实用新型]一种氮化镓基发光二极管的外延片

摘要

本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型接触层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层和P型接触层，通过在N型接触层和有源层之间设置包括第一子层、第二子层、第三子层的应力释放层，第二子层包括交替的InxGa1‑xN层和N型掺杂的第二GaN层，可有效释放底层晶格失配形成的应力，减小压电极化效应，提高外延片的抗静电性能和发光效率。第一子层、第二子层、第三子层均为N型掺杂，利于电流扩展，减小应力释放层两侧的电阻，增大应力释放层两侧的电容，可将更多电子蓄积起来，起到了更好的电子阻挡作用，减少漏电通道，进一步提高抗静电能力。

主权项

一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型接触层、有源层、P型电子阻挡层和P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括夹设在所述N型接触层和所述有源层之间的应力释放层，所述应力释放层包括依次层叠在所述N型接触层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为N型掺杂的第一GaN层，所述第二子层包括交替层叠的InxGa1‑xN层和N型掺杂的第二GaN层，所述第三子层包括N型掺杂的第三GaN层、或者包括交替层叠的非掺杂的第四GaN层和N型掺杂的第五GaN层、或者包括多层N型掺杂的第六GaN层，相邻两层所述第六GaN层的掺杂浓度不同。